RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3091
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link