RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3091
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link