Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    59 left arrow 71
    Wokół strony 17% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 15.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 2,123.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    59 left arrow 71
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,833.8 left arrow 15.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 7.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    731 left arrow 1757
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania