RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
71
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1757
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link