Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 15.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 59
    Wokół strony -146% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.7 left arrow 2,123.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 6400
    Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    59 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,833.8 left arrow 15.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 8.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    731 left arrow 2326
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania