RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2935
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link