RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2935
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link