RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2038
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link