RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
53
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3234
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link