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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.6
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
53
周辺 -165% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
20
読み出し速度、GB/s
3,726.4
19.6
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
15.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3234
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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