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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
53
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3234
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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