RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2704
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link