RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2560
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link