RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2560
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link