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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
14.6
写入速度,GB/s
2,123.3
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2560
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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