RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3297
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link