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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3297
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
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