RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3664
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link