RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3664
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link