RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
81
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
81
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1668
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link