RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
59
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2961
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link