RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
59
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2190
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link