RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
59
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
58
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2172
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link