RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
59
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
58
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
9.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2172
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link