RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
59
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2550
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link