RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3911
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link