RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
17.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de -146% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
17.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3911
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link