RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2732
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link