RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2732
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link