RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424016 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2035
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link