RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Panram International Corporation M424016 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424016 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
59
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
12.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2035
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link