RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1870
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link