RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2781
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link