RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2781
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link