RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link