RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link