RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3294
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link