RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3294
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link