RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
75
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
75
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1457
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link