RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2488
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link