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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
59
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
9.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2488
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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