RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2816
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link