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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
16.0
写入速度,GB/s
2,123.3
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2816
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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