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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,410.6
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
61
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
30
读取速度,GB/s
4,230.0
19.0
写入速度,GB/s
2,410.6
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
754
3435
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSO8GX3M1A1600C11 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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