RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
59
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
55
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2701
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link