RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2361
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link