RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
59
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
42
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2737
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link