RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2488
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link