RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2488
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link