RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
59
Wokół strony -228% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3564
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Flasys CL4-4-4DDR2-533 512MB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link