RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3552
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link