RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
59
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2313
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link