RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1711
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link