RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
3010
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link